10a, 600V Diodos ultra-rápidos Eles têm uma queda de tensão baixa e são de construção epitaxial passivada de nitreto de silício, implantada por íons. Esses dispositivos destinam -se ao uso como diodos e retifificadores de direção/fixação de energia em uma variedade de fontes de alimentação de comutação e outras aplicações de comutação de energia. Sua carga baixa armazenada e recuperação ultra-rápida com características de recuperação suave minimizam o toque e o ruído elétrico em muitos circuitos de comutação de energia, reduzindo assim a perda de energia no transistor de comutação TO-220F fornece tensão de isolamento classificada a 2000v RMS dos três terminais para dissipador de calor externo.
2 recursos
Baixa perda de energia,
tensão de alta eficiência de baixa eficiência,
alta capacidade de alta capacidade de alta capacidade
Tempos de recuperação super rápidos
alta tensão
3 aplicações
Fonte de alimentação de comutação
Circuitos de comutação de energia
Vbr
VF (único) (max)
Se (av) (único)
600V
1.6V
10a
Diodo de recuperação rápido 10A 600V
1 Descrição
10a, 600V Diodos ultra-rápidos Eles têm uma queda de tensão baixa e são de construção epitaxial passivada de nitreto de silício, implantada por íons. Esses dispositivos destinam -se ao uso como diodos e retifificadores de direção/fixação de energia em uma variedade de fontes de alimentação de comutação e outras aplicações de comutação de energia. Sua carga baixa armazenada e recuperação ultra-rápida com características de recuperação suave minimizam o toque e o ruído elétrico em muitos circuitos de comutação de energia, reduzindo assim a perda de energia no transistor de comutação TO-220F fornece tensão de isolamento classificada a 2000v RMS dos três terminais para dissipador de calor externo.
2 recursos
Baixa perda de energia,
tensão de alta eficiência de baixa eficiência,
alta capacidade de alta capacidade de alta capacidade
