N-kanavan laajennustilan teho MOSFET 180A 40V DHS020N04 TO-220C

N-kanavainen laajennustilan teho MOSFET 180A 40V

1 Kuvaus 

Näissä N-kanavan tehostustilan tehomosfeteissa käytettiin edistynyttä Splitte gate -tekniikkaa, mikä tarjosi erinomaisen Rdsonin ja alhaisen porttilatauksen. Joka on RoHS-standardin mukainen. 

2 Ominaisuudet 

● Nopea vaihto 

● Alhainen vastus 

● Matala portin lataus 

● Suuri lumivyöryvirta 

● Alhaiset paluusiirtokapasitanssit 

● 100 % yhden pulssin lumivyöryenergiatesti 

● 100 % ΔVDS -testi 

3 Sovellukset 

● Virrankytkentäsovellukset 

● Invertterin hallintajärjestelmä 

● Sähkötyökalut

● Autoelektroniikka

VDSS	RDS(päällä)(TYP)	ID
40V	1,7 mΩ	180A