Kotiin
Tietoja meistä
Tuotteet
MOSFET
DIODI
IGBT
IGBT-MODUULI
SIC
Jännitteensäädin IC
Sovellus
Palvelu
FAQ
Lataa
Laatu
Uutiset
Ota yhteyttä
:
Kaikki
Tuotteen nimi
Tuotteen avainsana
Tuotteen malli
Tuotteen yhteenveto
Tuotteen kuvaus
Monikenttähaku
Please Choose Your Language
English
العربية
Français
Русский
Español
Português
Deutsch
italiano
日本語
한국어
Nederlands
Tiếng Việt
ไทย
Polski
Türkçe
አማርኛ
ພາສາລາວ
ភាសាខ្មែរ
Bahasa Melayu
ဗမာစာ
தமிழ்
Filipino
Bahasa Indonesia
magyar
Română
Čeština
Монгол
қазақ
Српски
हिन्दी
فارسی
Kiswahili
Slovenčina
Slovenščina
Norsk
Svenska
українська
Ελληνικά
Suomi
Հայերեն
עברית
Latine
Dansk
اردو
Shqip
বাংলা
Hrvatski
Afrikaans
Gaeilge
Eesti keel
Māori
Please Choose Your Language
English
العربية
Français
Русский
Español
Português
Deutsch
italiano
日本語
한국어
Nederlands
Tiếng Việt
ไทย
Polski
Türkçe
አማርኛ
ພາສາລາວ
ភាសាខ្មែរ
Bahasa Melayu
ဗမာစာ
தமிழ்
Filipino
Bahasa Indonesia
magyar
Română
Čeština
Монгол
қазақ
Српски
हिन्दी
فارسی
Kiswahili
Slovenčina
Slovenščina
Norsk
Svenska
українська
Ελληνικά
Suomi
Հայերեն
עברית
Latine
Dansk
اردو
Shqip
বাংলা
Hrvatski
Afrikaans
Gaeilge
Eesti keel
Māori
:
Kaikki
Tuotteen nimi
Tuotteen avainsana
Tuotteen malli
Tuotteen yhteenveto
Tuotteen kuvaus
Monikenttähaku
Kotiin
Tietoja meistä
Tuotteet
MOSFET
DIODI
IGBT
IGBT-MODUULI
SIC
Jännitteensäädin IC
Sovellus
Palvelu
FAQ
Lataa
Laatu
Uutiset
Ota yhteyttä
Tuoteluokka
-30V~-100V P MOS
13A 100V P-kanavan parannustilan teho MOSFET18P10D TO-252B
P-kanavan parannustilan teho MOSFET 40A 100V DH100P40D TO-252B
35A 100V P-kanavan parannustilan teho MOSFET DH100P35 - 220C
DH100P20D
10A 30V P-kanavan parannustilan teho MOSFET DH160P03V SOP-8
75A 100V P-kanavan parannustilan teho MOSFET DH100P70 TO-220C
P-kanavan laajennustilan teho MOSFET 12A 60V DH500P06R DFN3*3-8
-30A -100V P-kanavan parannustilan teho MOSFET DH100P30CD TO-252B
P-kanavan lisätilateho MOSFET 30A 100V DH100P30AB TO-251B
-30A -60V P-kanavan parannustilan teho MOSFET DH300P06D TO-252B
Lisää >>»
12V-300V N MOS
88A 60V N-kanavan parannustilan teho MOSFET DH070N06 TO-220C
N-kanavan laajennustilan teho MOSFET 150A 150V DSG059N15NA TO-220C
120A 85V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DSG048N08N3 TO-220C
100A 30V N-kanavainen lisätilateho MOSFET 30H10/30H10F/30H10E/30H10B/30H10K
100V/15mΩ/50A N-MOSFET DSD190N10L3 TO-252B
18A 200V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET D18N20 TO-252B
N-kanavan laajennustilan teho MOSFET 150A 150V DHS042N15 TO-220C
9A 200 V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET D630 TO-252B
160A 40V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET D110N04 TO-252B
90A 30V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHD90N03 TO-252B
Lisää >>»
400V-1500V N MOS
8N50/F8N50/B8N50/D8N50
2N60/F2N60/I2N60/ E2N60/B2N60/D2N60
6N90/F6N90
8A 500 V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET F8N50 TO-220F
F12N70
F4N80/B4N80
9N90/F9N90/E9N90
N-kanavan laajennustilan teho MOSFET 8A 500V D8N50 TO-252B
7N80/F7N80/E7N80
13N90
Lisää >>»
Tilaa uutiskirjeemme
Valmistaudu tulevaan
tilaamalla uutiskirjeemme saadaksesi päivitykset suoraan sähköpostiisi
Lähetä
TUOTTEEMME
MOSFET
DIODI
IGBT
IGBT-MODUULI
SIC
Jännitteensäädin IC
LETORISTA
Tietoja meistä
Sovellus
Kestävyys
Blogi
Ota yhteyttä
LISÄÄ LINKKEJÄ
Tuotteet
Laatu
Palvelu ja tuki
Sivustokartta
Tietosuojakäytäntö
OTA YHTEYTTÄ
Sähköposti:
sales@wxdh.com .cn
Lankapuhelin:
+86-510-85307789
SOSIAALISET VERKOT
Sähköposti
sales@wxdh.com .cn
Puhelin
+86-510-85307789
WhatsApp
+86 18261532730
+86 15150678496