Descripción
Diodos ultrarrápidos de 60 A y 300 V. Tienen una baja caída de voltaje directo y son de construcción epitaxial plana, pasivada con nitruro de silicio, implantada con iones. Estos dispositivos están diseñados para usarse como diodos de dirección/sujeción de energía y rectificadores en una variedad de fuentes de alimentación conmutadas y otras aplicaciones de conmutación de energía. Su baja carga almacenada y recuperación ultrarrápida con características de recuperación suave minimizan el timbre y el ruido eléctrico en muchos circuitos de conmutación de energía, reduciendo así la pérdida de energía en el transistor de conmutación.
Características
● Baja pérdida de energía
● alta eficiencia Bajo voltaje directo
● alta capacidad de corriente Alta capacidad de sobretensión
● Tiempos de recuperación súper rápidos
● alto voltaje
Aplicaciones
● Fuente de alimentación conmutada
● Circuitos de conmutación de energía
● Fuente de alimentación del inversor