G20T65D

Transistor bipolar de puerta aislada 20A 650V

Descripción general:

Utilizando el diseño de trinchera patentado de DongHai y la avanzada tecnología FS, el IGBT FS de 650 V ofrece rendimientos de conmutación y conducción superiores, alta resistencia a avalanchas y fácil operación en paralelo.

Características:

 Tecnología de trinchera FS, coeficiente de temperatura positivo

 Voltaje de baja saturación: VCE(sat), typ = 1.9V @ IC =20A y TC = 25°C

 Capacidad de avalancha extremadamente mejorada

Aplicaciones:

Control de motores, PFC, UPS...