MOSFET D120N10 TO-220C de potencia del modo de mejora del canal N 120A100V

MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N 120A100V

1 Descripción

Estos MOSFETS de potencia de modo de mejora de canal N utilizaron un diseño avanzado de tecnología de puerta dividida, proporcionaron un RDSON excelente y una carga de puerta baja. Lo cual cumple con el estándar RoHS. 

2 características 

● Baja resistencia 

● Cargo de puerta bajo 

● Excelente producto Qg×Rdson (FOM) 

● Cambio rápido

● Bajas capacidades de transferencia inversa 

● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100% 

● Prueba 100% ΔVDS 

3 aplicaciones 

● Control y accionamiento de motores 

● Gestión de batería 

● UPS (fuente de alimentación ininterrumpida)

VDSS	RDS (activado) (TIPO)	IDENTIFICACIÓN
100V	3,3 mΩ	120A