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120A100V Modo de mejora del canal MOSFET D120N10 TO-220C

Estos Mosfets de potencia de potencia de modo de mejora del canal N utilizaron un diseño de tecnología de puerta dividida avanzada, proporcionó una excelente carga de RDSON y baja puerta. Que concuerda con el estándar ROHS.
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120A100V Modo de mejora del canal MOSFET


1 descripción

Estos Mosfets de potencia de potencia de modo de mejora del canal N utilizaron un diseño de tecnología de puerta dividida avanzada, proporcionó una excelente carga de RDSON y baja puerta. Que concuerda con el estándar ROHS. 


2 características 

● Bajo en resistencia 

● carga de puerta baja 

● Excelente producto QG × Rdson (FOM) 

● Cambio rápido

● Capacitancias de transferencia inversa bajas 

● Prueba de energía de avalancha de pulso 100% 100% 

● Prueba de 100% ΔVDS 


3 aplicaciones 

● Control y accionamiento del motor 

● Gestión de la batería 

● UPS (Fuente de alimentación ininterpretable)


VDSS RDS (ON) (typ) IDENTIFICACIÓN
100V 3.3mΩ 120a


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