120A100 ولت N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
1 توضیحات
این ماسفتهای قدرتمند حالت ارتقای کانال N از طراحی پیشرفته فناوری Split Gate استفاده میکنند، RDSON عالی و شارژ کم گیت را ارائه میکنند. که مطابق با استاندارد RoHS است.
2 ویژگی
● مقاومت کم
● شارژ پایین دروازه
● محصول عالی Qg×Rdson (FOM)
● سوئیچینگ سریع
● ظرفیت انتقال معکوس کم
● تست 100% انرژی بهمن تک پالس
● 100% ΔVDS تست
3 برنامه های کاربردی
● کنترل موتور و درایو
● مدیریت باتری
● UPS (منبع تغذیه اضطراری)
| VDSS |
RDS(روشن)(TYP) |
شناسه |
| 100 ولت |
3.3mΩ |
120A |