120A100V N-channel lepancement Mode Power MOSFET D120N10 TO-220C

120A100V N-Channel MODE MOSFET

1 περιγραφή

Αυτές οι λειτουργίες βελτίωσης N-Channel Power MOSFETs χρησιμοποίησαν προηγμένη σχεδιασμό τεχνολογίας Split Gate, παρείχαν εξαιρετική RDSON και χαμηλή φόρτιση πύλης. Η οποία συμφωνεί με το πρότυπο ROHS. 

2 χαρακτηριστικά 

● Χαμηλή αντίσταση 

● Χαμηλή φόρτιση πύλης 

● Εξαιρετικό προϊόν QG × RDSON (FOM) 

● Γρήγορη εναλλαγή

● Χαμηλές ικανότητες μεταφοράς αντίστροφης μεταφοράς 

● Δοκιμή ενεργειακής δοκιμής 100% μονής παλμού Avalanche 

● δοκιμή 100% ΔVDS 

3 αιτήσεις 

● Έλεγχος και οδήγηση κινητήρα 

● Διαχείριση μπαταριών 

● UPS (αδιάκοπη τροφοδοσία)