120A100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
1 Περιγραφή
Αυτά τα MOSFET τροφοδοσίας λειτουργίας βελτίωσης N καναλιών Χρησιμοποιούσαν προηγμένο σχεδιασμό τεχνολογίας Split Gate, παρείχαν εξαιρετικό RDSON και χαμηλή φόρτιση πύλης. Το οποίο συμφωνεί με το πρότυπο RoHS.
2 Χαρακτηριστικά
● Χαμηλή αντίσταση
● Χαμηλή φόρτιση πύλης
● Εξαιρετικό προϊόν Qg×Rdson (FOM)
● Γρήγορη εναλλαγή
● Χαμηλές χωρητικότητες ανάστροφης μεταφοράς
● Ενεργειακή δοκιμή 100% Single Pulse Avalanche
● 100% ΔVDS Test
3 Εφαρμογές
● Έλεγχος κινητήρα και κίνηση
● Διαχείριση μπαταρίας
● UPS (Αδιάλειπτο Τροφοδοτικό)
| VDSS |
RDS(ενεργό)(TYP) |
ταυτότητα |
| 100V |
3,3 mΩ |
120Α |