120A100V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET D120N10 TO-220C

120A100V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET

1 Beschreibung

Diese N-Kanal-Leistungs-MOSFETS im Anreicherungsmodus verwenden ein fortschrittliches Design mit Split-Gate-Technologie und bieten einen hervorragenden RDSON und eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht. 

2 Funktionen 

● Geringer Widerstand 

● Niedrige Gate-Ladung 

● Ausgezeichnetes Qg×Rdson-Produkt (FOM) 

● Schnelles Umschalten

● Geringe Rückübertragungskapazitäten 

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest 

● 100 % ΔVDS-Test 

3 Anwendungen 

● Motorsteuerung und Antrieb 

● Batteriemanagement 

● USV (unterbrechungsfreie Stromversorgung)

VDSS	RDS(ein)(TYP)	AUSWEIS
100V	3,3 mΩ	120A