未命名 (1) (8) (1)
Tor
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.
Sie sind hier: Heim »» Produkte » Mosfet » 12V-300V n Mos »» 120A100V N-Kanal-Verbesserungsmodus Power MOSFET D120N10 TO-220C

Laden

Teilen an:
Facebook Sharing Button
Twitter Sharing -Schaltfläche
Leitungsfreigabe -Taste
Wechat Sharing -Taste
LinkedIn Sharing -Taste
Pinterest Sharing -Taste
WhatsApp Sharing -Taste
Sharethis Sharing Button

120A100V N-Kanal-Verbesserungsmodus Power MOSFET D120N10 bis 220C

Diese N-Channel-Verbesserungsmodus-MOSFETs verwendeten fortschrittliche Split-Gate-Technologiedesign und boten eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard.
Verfügbarkeit:
Menge:
Erkundigen Zum Korb geben

120A100V N-Kanal-Verbesserungsmodus Power MOSFET


1 Beschreibung

Diese N-Channel-Verbesserungsmodus-MOSFETs verwendeten fortschrittliche Split-Gate-Technologiedesign und boten eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard. 


2 Merkmale 

● Niedrig des Widerstands 

● Ladung mit niedriger Gate 

● Ausgezeichnetes QG × RDSON -Produkt (FOM) 

● schnelles Umschalten

● Niedrige Umkehrtransferkapazität 

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest 

● 100% ΔVDS -Test 


3 Anwendungen 

● Motorsteuerung und Antrieb 

● Batteriemanagement 

● UPS (uninterptierbares Netzteil)


VDSS RDS (ON) (Typ) AUSWEIS
100V 3,3 mΩ 120a


Vorherige: 
Nächste: 
Mosfet
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.
  • Melden Sie sich für unseren Newsletter an
  • Sie sich bereit für die Zukunft
    Machen
    Einreichen
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology von Leadong.com