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DSG031N10N3 TO-220C

Diese N-Channel-Verbesserungsmodus-MOSFETs verwendeten fortschrittliche Splite-Gate-Graben-Technologie-Design und bildeten eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard.
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  • DSG031N10N3

  • Wxdh

100 V/2,6 mΩ/180a N-Mosfet


1 Beschreibung 

Dieser N-Kanal-Verbesserungsmodus-Power MOSFET verwendet die fortschrittliche Split-Gate-Grabentechnologie, die gleichzeitig eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung bietet. Das entspricht dem ROHS -Standard. 


2 Merkmale

● Niedrig des Widerstands 

● Niedrige Umkehrtransferkapazität 

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest

● 100% ΔVDS -Test 

  • Pb-freie Beschichtung/Halogenfrei/ROHS-konform


3 Anwendungen 

● Stromschaltanwendungen

● DC-DC-Konverter

● Vollbrückenkontrolle



VDSS RDS (ON) (Typ) AUSWEIS
100V 2,6 MΩ 180a


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