未命名 (1) (8) (1)
gerbang
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Anda di sini: Rumah » Produk » MOSFET » 12V-300V n Mos 220C DSG031N10N3 TO-

memuat

Bagikan ke:
Tombol Berbagi Facebook
Tombol Berbagi Twitter
Tombol Berbagi Baris
Tombol Berbagi WeChat
Tombol Berbagi LinkedIn
Tombol Berbagi Pinterest
Tombol Berbagi WhatsApp
Tombol Berbagi Sharethis

DSG031N10N3 TO-220C

Mode Peningkatan N-Channel Power MOSFET ini menggunakan desain teknologi parit gerbang splite canggih, memberikan RDSON yang sangat baik dan biaya gerbang rendah. Yang sesuai dengan standar ROHS.
Ketersediaan:
Kuantitas:
Menanyakan Tambahkan ke keranjang

  • DSG031N10N3

  • Wxdh

100V/2.6MΩ/180A N-MOSFET


1 deskripsi 

Mode Peningkatan N-Channel ini Power MOSFET menggunakan teknologi parit gerbang split canggih, yang menyediakan RDSON yang sangat baik dan biaya gerbang rendah secara bersamaan. Yang sesuai dengan standar ROHS. 


2 fitur

● Rendah pada resistensi 

● Kapasitansi transfer terbalik rendah 

● Tes energi longsor pulsa tunggal 100%

● Tes 100% ΔVDS 

  • PB-FREE Plating/Halogen-Free/ROHS sesuai


3 aplikasi 

● Aplikasi switching daya

● Konverter DC-DC

● Kontrol jembatan penuh



VDSS RDS (on) (Typ) PENGENAL
100V 2.6 MΩ 180a


Sebelumnya: 
Berikutnya: 
MOSFET
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Mendaftar untuk buletin kami
  • Bersiaplah untuk Masa Depan
    Mendaftar untuk Buletin Kami Untuk Mendapatkan Pembaruan Langsung Ke Kotak Masuk Anda
    Kirim
Hak Cipta © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology oleh leadong.com