DSG031N10N3 TO-220C

100V/2,6mΩ/180A N-MOSFET

1 Περιγραφή 

Αυτό το τροφοδοτικό MOSFET λειτουργίας βελτίωσης N καναλιών χρησιμοποιεί προηγμένη τεχνολογία Split Gate Trench, η οποία παρέχει εξαιρετική φόρτιση Rdson και χαμηλή φόρτιση Gate ταυτόχρονα. Το οποίο συμφωνεί με το πρότυπο RoHS. 

2 Χαρακτηριστικά

● Χαμηλή αντίσταση 

● Χαμηλές χωρητικότητες ανάστροφης μεταφοράς 

● Δοκιμή ενέργειας χιονοστιβάδας 100% ενός παλμού

● Δοκιμή ΔVDS 100%. 

• Συμβατό με επιμετάλλωση χωρίς Pb/χωρίς αλογόνο/RoHs

  
  

3 Εφαρμογές 

● Εφαρμογές μεταγωγής ισχύος

● Μετατροπείς DC-DC

● Πλήρης έλεγχος γέφυρας

VDSS	RDS(ενεργό)(TYP)	ταυτότητα
100V	2,6 mΩ	180Α