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MUR8020CT
WXDH
80A 200V Diode mit schneller Wiederherstellung
1 Beschreibung
Ultraschnelle Dioden mit 80 A und 200 V. Sie weisen einen geringen Durchlassspannungsabfall auf und bestehen aus einer planaren, mit Siliziumnitrid passivierten, ionenimplantierten Epitaxiekonstruktion.Diese Geräte sind für den Einsatz als Energiesteuerungs-/Klemmdioden und Gleichrichter in einer Vielzahl von Schaltnetzteilen und anderen Leistungsschaltanwendungen vorgesehen.Ihre geringe gespeicherte Ladung und die ultraschnelle Wiederherstellung mit Soft-Recovery-Eigenschaften minimieren Überschwingungen und elektrisches Rauschen in vielen Leistungsschaltkreisen und reduzieren so den Leistungsverlust im Schalttransistor
2 Funktionen
Geringe Verlustleistung,
hoher Wirkungsgrad, niedrige Durchlassspannung,
hohe Strombelastbarkeit. Hohe Stoßleistung
Superschnelle Erholungszeiten
Hochspannung
3 Anwendungen
Schaltnetzteil
Stromschaltkreise
Wechselrichter-Stromversorgung
VBR | VF(einzeln)(MAX) | IF(AV)(einzeln) |
200V | 1,0 V | 40A |
80A 200V Diode mit schneller Wiederherstellung
1 Beschreibung
Ultraschnelle Dioden mit 80 A und 200 V. Sie weisen einen geringen Durchlassspannungsabfall auf und bestehen aus einer planaren, mit Siliziumnitrid passivierten, ionenimplantierten Epitaxiekonstruktion.Diese Geräte sind für den Einsatz als Energiesteuerungs-/Klemmdioden und Gleichrichter in einer Vielzahl von Schaltnetzteilen und anderen Leistungsschaltanwendungen vorgesehen.Ihre geringe gespeicherte Ladung und die ultraschnelle Wiederherstellung mit Soft-Recovery-Eigenschaften minimieren Überschwingungen und elektrisches Rauschen in vielen Leistungsschaltkreisen und reduzieren so den Leistungsverlust im Schalttransistor
2 Funktionen
Geringe Verlustleistung,
hoher Wirkungsgrad, niedrige Durchlassspannung,
hohe Strombelastbarkeit. Hohe Stoßleistung
Superschnelle Erholungszeiten
Hochspannung
3 Anwendungen
Schaltnetzteil
Stromschaltkreise
Wechselrichter-Stromversorgung
VBR | VF(einzeln)(MAX) | IF(AV)(einzeln) |
200V | 1,0 V | 40A |
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. wurde im Dezember 2004 mit Sitz in Nr. 88, Zhongtong East Road, Shuofang, Bezirk Xinwu, Stadt Wuxi, Provinz Jiangsu, gegründet.Es umfasst eine Fläche von 15000 m2.Das Grundkapital beträgt 81,5 Millionen Yuan.Die jährliche Produktionslinie beträgt 500 Millionen Energieeinheiten
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. wurde im Dezember 2004 gegründet und hat seinen Sitz in der East Zhongtong Road Nr. 88, Stadt Shuofang, Bezirk Xinwu, Stadt Wuxi, Provinz Jiangsu.Mit einer Fläche von 15.000 Quadratmetern und einem Grundkapital von 81,50 Millionen Yuan ist es ein High-Tech-Unternehmen
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. wurde im Dezember 2004 gegründet und hat seinen Sitz in der East Zhongtong Road Nr. 88, Stadt Shuofang, Bezirk Xinwu, Stadt Wuxi, Provinz Jiangsu.Mit einer Fläche von 15.000 Quadratmetern und einem Grundkapital von 81,50 Millionen Yuan ist es ein High-Tech-Unternehmen
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. wurde im Dezember 2004 gegründet und hat seinen Sitz in der East Zhongtong Road Nr. 88, Stadt Shuofang, Bezirk Xinwu, Stadt Wuxi, Provinz Jiangsu.Mit einer Fläche von 15.000 Quadratmetern und einem Grundkapital von 81,50 Millionen Yuan ist es ein High-Tech-Unternehmen
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. wurde im Dezember 2004 gegründet und hat seinen Sitz in der East Zhongtong Road Nr. 88, Stadt Shuofang, Bezirk Xinwu, Stadt Wuxi, Provinz Jiangsu.Mit einer Fläche von 15.000 Quadratmetern und einem Grundkapital von 81,50 Millionen Yuan ist es ein High-Tech-Unternehmen
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. wurde im Dezember 2004 gegründet und hat seinen Sitz in der East Zhongtong Road Nr. 88, Stadt Shuofang, Bezirk Xinwu, Stadt Wuxi, Provinz Jiangsu.Mit einer Fläche von 15.000 Quadratmetern und einem Grundkapital von 81,50 Millionen Yuan ist es ein High-Tech-Unternehmen