Availability: | |
---|---|
Quantity: | |
MUR8020CT
WXDH
80A 200V Ieiunium recuperatio diode
1 Description
80A, 200V Diodes Ultrafast humiliore deinceps intentione guttam habent, et sunt nitridae planae, siliceae passivatae, io implantatae, constructionis epitaxialis.Hae machinis usui destinatae sunt sicut navitas gubernandi/clauendi diodes et rectificatores in variis mutandi commeatus et alia potentia mutandi applicationes.Eorum humilitas reposita onera et recuperatio ultrafast cum mollis notis recuperandi minimizat sonum tinnitum et strepitum electricam in multis circuitionibus mutandi, ita minuendo damnum potentiae in commutatione transistoris.
2 Features
Humilis virtutis amissio;
altae efficientiae Minimum deinceps intentione;
princeps current facultatem High fluctus facultatem
Super ieiunium recuperare temporibus
Aluminium
III Applications
Switching Power
Power Switching Circuits
Inverter potentia copia
VBR | VF(single)(MAX) | SI(AV) |
200V | 1.0V | 40A |
80A 200V Ieiunium recuperatio diode
1 Description
80A, 200V Diodes Ultrafast humiliore deinceps intentione guttam habent, et sunt nitridae planae, siliceae passivatae, io implantatae, constructionis epitaxialis.Hae machinis usui destinatae sunt sicut navitas gubernandi/clauendi diodes et rectificatores in variis mutandi commeatus et alia potentia mutandi applicationes.Eorum humilitas reposita onera et recuperatio ultrafast cum mollis notis recuperandi minimizat sonum tinnitum et strepitum electricam in multis circuitionibus mutandi, ita minuendo damnum potentiae in commutatione transistoris.
2 Features
Humilis virtutis amissio;
altae efficientiae Minimum deinceps intentione;
princeps current facultatem High fluctus facultatem
Super ieiunium recuperare temporibus
Aluminium
III Applications
Switching Power
Power Switching Circuits
Inverter potentia copia
VBR | VF(single)(MAX) | SI(AV) |
200V | 1.0V | 40A |
Jiangsu Donghai Semiconductor Co, Ltd firmatum in December MMIV, sita ad No. LXXXVIII, Zhongtong Oriente via, Shuofang, Xinwu dolor, Wuxi urbem, Jiangsu provinciae.15000m2 ambitum tegit.Descriptio capitis est 81.5 decies centena Yuan.Productio annua linea 500 decies centena millia de habet
Jiangsu Donghai Semiconductor Co, Ltd, quae constituta est in December MMIV, sita in No. LXXXVIII, Orientem Zhongtong Road, Shuofang Oppidum, Xinwu dolor, Wuxi urbem, Jiangsu provinciae.Cum area 15,000 quadratum metrorum et capitis descripserunt 81,50 decies centena Yuan, est summus tech maior inceptis
Jiangsu Donghai Semiconductor Co, Ltd, quae constituta est in December MMIV, sita in No. LXXXVIII, Orientem Zhongtong Road, Shuofang Oppidum, Xinwu dolor, Wuxi urbem, Jiangsu provinciae.Cum area 15,000 quadratum metrorum et capitis descripserunt 81,50 decies centena Yuan, est summus tech maior inceptis
Jiangsu Donghai Semiconductor Co, Ltd, quae constituta est in December MMIV, sita in No. LXXXVIII, Orientem Zhongtong Road, Shuofang Oppidum, Xinwu dolor, Wuxi urbem, Jiangsu provinciae.Cum area 15,000 quadratum metrorum et capitis descripserunt 81,50 decies centena Yuan, est summus tech maior inceptis
Jiangsu Donghai Semiconductor Co, Ltd, quae constituta est in December MMIV, sita in No. LXXXVIII, Orientem Zhongtong Road, Shuofang Oppidum, Xinwu dolor, Wuxi urbem, Jiangsu provinciae.Cum area 15,000 quadratum metrorum et capitis descripserunt 81,50 decies centena Yuan, est summus tech maior inceptis
Jiangsu Donghai Semiconductor Co, Ltd, quae constituta est in December MMIV, sita in No. LXXXVIII, Orientem Zhongtong Road, Shuofang Oppidum, Xinwu dolor, Wuxi urbem, Jiangsu provinciae.Cum area 15,000 quadratum metrorum et capitis descripserunt 81,50 decies centena Yuan, est summus tech maior inceptis