Disponibilitate: | |
---|---|
Cantitate: | |
MUR8020CT
WXDH
80A 200V Diodă de recuperare rapidă
1 Descriere
Diode ultrarapide 80A, 200V Au o cădere de tensiune directă scăzută și sunt de construcție plană, pasivată cu nitrură de siliciu, implantată cu ioni, epitaxială.Aceste dispozitive sunt destinate utilizării ca diode de direcție/strângere a energiei și redresoare într-o varietate de surse de alimentare cu comutare și alte aplicații de comutare a puterii.Încărcarea lor scăzută stocată și recuperarea ultrarapidă cu caracteristici de recuperare ușoară minimizează soneria și zgomotul electric în multe circuite de comutare a puterii, reducând astfel pierderea de putere în tranzistorul de comutare
2 Caracteristici
Pierdere redusă de putere,
eficiență ridicată Tensiune directă joasă,
capacitate mare de curent Capacitate mare de supratensiune
Timpi de recuperare super rapid
tensiune înaltă
3 Aplicații
Sursă de alimentare comutată
Circuite de comutare a puterii
Alimentare cu invertor
VBR | VF(singure)(MAX) | IF(AV)(singure) |
200V | 1,0 V | 40A |
80A 200V Diodă de recuperare rapidă
1 Descriere
Diode ultrarapide 80A, 200V Au o cădere de tensiune directă scăzută și sunt de construcție plană, pasivată cu nitrură de siliciu, implantată cu ioni, epitaxială.Aceste dispozitive sunt destinate utilizării ca diode de direcție/strângere a energiei și redresoare într-o varietate de surse de alimentare cu comutare și alte aplicații de comutare a puterii.Încărcarea lor scăzută stocată și recuperarea ultrarapidă cu caracteristici de recuperare ușoară minimizează soneria și zgomotul electric în multe circuite de comutare a puterii, reducând astfel pierderea de putere în tranzistorul de comutare
2 Caracteristici
Pierdere redusă de putere,
eficiență ridicată Tensiune directă joasă,
capacitate mare de curent Capacitate mare de supratensiune
Timpi de recuperare super rapid
tensiune înaltă
3 Aplicații
Sursă de alimentare comutată
Circuite de comutare a puterii
Alimentare cu invertor
VBR | VF(singure)(MAX) | IF(AV)(singure) |
200V | 1,0 V | 40A |
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. a fost înființată în decembrie 2004, cu sediul la nr. 88, Zhongtong East Road, Shuofang, districtul Xinwu, orașul Wuxi, provincia Jiangsu.Se intinde pe o suprafata de 15000m2.Capitalul social este de 81,5 milioane de yuani.Are o linie de producție anuală de 500 de milioane de putere
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd., care a fost înființată în decembrie 2004, este situată la nr. 88, East Zhongtong Road, Shuofang Town, Xinwu District, Wuxi City, Jiangsu Province.Cu o suprafață de 15.000 de metri pătrați și un capital social de 81,50 milioane de yuani, este o întreprindere de înaltă tehnologie.
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd., care a fost înființată în decembrie 2004, este situată la nr. 88, East Zhongtong Road, Shuofang Town, Xinwu District, Wuxi City, Jiangsu Province.Cu o suprafață de 15.000 de metri pătrați și un capital social de 81,50 milioane de yuani, este o întreprindere de înaltă tehnologie.
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd., care a fost înființată în decembrie 2004, este situată la nr. 88, East Zhongtong Road, Shuofang Town, Xinwu District, Wuxi City, Jiangsu Province.Cu o suprafață de 15.000 de metri pătrați și un capital social de 81,50 milioane de yuani, este o întreprindere de înaltă tehnologie.
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd., care a fost înființată în decembrie 2004, este situată la nr. 88, East Zhongtong Road, Shuofang Town, Xinwu District, Wuxi City, Jiangsu Province.Cu o suprafață de 15.000 de metri pătrați și un capital social de 81,50 milioane de yuani, este o întreprindere de înaltă tehnologie.
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd., care a fost înființată în decembrie 2004, este situată la nr. 88, East Zhongtong Road, Shuofang Town, Xinwu District, Wuxi City, Jiangsu Province.Cu o suprafață de 15.000 de metri pătrați și un capital social de 81,50 milioane de yuani, este o întreprindere de înaltă tehnologie.