Stok Durumu: | |
---|---|
Adet: | |
MUR8020CT
WXDH
80A 200V Hızlı kurtarma diyotu
1 Açıklama
80A, 200V Ultra Hızlı Diyotlar Düşük ileri voltaj düşüşüne sahiptirler ve düzlemsel, silikon nitrürle pasifleştirilmiş, iyon yerleştirilmiş, epitaksiyel yapıya sahiptirler.Bu cihazlar, çeşitli anahtarlamalı güç kaynaklarında ve diğer güç anahtarlama uygulamalarında enerji yönlendirme/sıkma diyotları ve doğrultucular olarak kullanılmak üzere tasarlanmıştır.Düşük depolanmış şarjları ve yumuşak kurtarma özelliklerine sahip ultra hızlı geri kazanımları, birçok güç anahtarlama devresindeki çınlamayı ve elektriksel gürültüyü en aza indirir, böylece anahtarlama transistöründeki güç kaybını azaltır.
2 Özellikler
Düşük güç kaybı,
yüksek verimlilik Düşük ileri gerilim,
yüksek akım kapasitesi Yüksek dalgalanma kapasitesi
Süper hızlı iyileşme süreleri
yüksek voltaj
3 Uygulama
Güç kaynağını değiştirmek
Güç Anahtarlama Devreleri
İnvertör güç kaynağı
VBR | VF(tek)(MAKS) | IF(AV)(tek) |
200V | 1.0V | 40A |
80A 200V Hızlı kurtarma diyotu
1 Açıklama
80A, 200V Ultra Hızlı Diyotlar Düşük ileri voltaj düşüşüne sahiptirler ve düzlemsel, silikon nitrürle pasifleştirilmiş, iyon yerleştirilmiş, epitaksiyel yapıya sahiptirler.Bu cihazlar, çeşitli anahtarlamalı güç kaynaklarında ve diğer güç anahtarlama uygulamalarında enerji yönlendirme/sıkma diyotları ve doğrultucular olarak kullanılmak üzere tasarlanmıştır.Düşük depolanmış şarjları ve yumuşak kurtarma özelliklerine sahip ultra hızlı geri kazanımları, birçok güç anahtarlama devresindeki çınlamayı ve elektriksel gürültüyü en aza indirir, böylece anahtarlama transistöründeki güç kaybını azaltır.
2 Özellikler
Düşük güç kaybı,
yüksek verimlilik Düşük ileri gerilim,
yüksek akım kapasitesi Yüksek dalgalanma kapasitesi
Süper hızlı iyileşme süreleri
yüksek voltaj
3 Uygulama
Güç kaynağını değiştirmek
Güç Anahtarlama Devreleri
İnvertör güç kaynağı
VBR | VF(tek)(MAKS) | IF(AV)(tek) |
200V | 1.0V | 40A |
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. Aralık 2004'te, Jiangsu Eyaleti, Wuxi şehri, Xinwu Bölgesi, Shuofang, Zhongtong Doğu Yolu, No. 88'de kuruldu.15000 m2'lik bir alanı kaplamaktadır.Kayıtlı sermaye 81,5 milyon yuan'dır.Yıllık 500 milyon güç üretim hattına sahiptir.
Aralık 2004'te kurulan Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd., Jiangsu Eyaleti, Wuxi Şehri, Xinwu Bölgesi, Shuofang Kasabası, Doğu Zhongtong Yolu, No. 88'de bulunmaktadır.15.000 metrekarelik alanı ve 81.50 milyon yuan kayıtlı sermayesi ile yüksek teknolojili bir kurumsal ana daldır.
Aralık 2004'te kurulan Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd., Jiangsu Eyaleti, Wuxi Şehri, Xinwu Bölgesi, Shuofang Kasabası, Doğu Zhongtong Yolu, No. 88'de bulunmaktadır.15.000 metrekarelik alanı ve 81.50 milyon yuan kayıtlı sermayesi ile yüksek teknolojili bir kurumsal ana daldır.
Aralık 2004'te kurulan Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd., Jiangsu Eyaleti, Wuxi Şehri, Xinwu Bölgesi, Shuofang Kasabası, Doğu Zhongtong Yolu, No. 88'de bulunmaktadır.15.000 metrekarelik alanı ve 81.50 milyon yuan kayıtlı sermayesi ile yüksek teknolojili bir kurumsal ana daldır.
Aralık 2004'te kurulan Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd., Jiangsu Eyaleti, Wuxi Şehri, Xinwu Bölgesi, Shuofang Kasabası, Doğu Zhongtong Yolu, No. 88'de bulunmaktadır.15.000 metrekarelik alanı ve 81.50 milyon yuan kayıtlı sermayesi ile yüksek teknolojili bir kurumsal ana daldır.
Aralık 2004'te kurulan Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd., Jiangsu Eyaleti, Wuxi Şehri, Xinwu Bölgesi, Shuofang Kasabası, Doğu Zhongtong Yolu, No. 88'de bulunmaktadır.15.000 metrekarelik alanı ve 81.50 milyon yuan kayıtlı sermayesi ile yüksek teknolojili bir kurumsal ana daldır.