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50A 1200V Halbbrücke IGBT -Modul DHG50N120D 34 mm
Dieser bipolare Transistor des isolierten Gates verwendete fortschrittliches Design von Graben- und FieldStop -Technologie, das eine hervorragende Vcesat- und Schaltgeschwindigkeit und eine niedrige Gate -Ladung lieferte. Das entspricht dem ROHS -Standard.
Dieser bipolare Transistor des isolierten Gates verwendete fortschrittliches Design von Graben- und FieldStop -Technologie, das eine hervorragende Vcesat- und Schaltgeschwindigkeit und eine niedrige Gate -Ladung lieferte. Das entspricht dem ROHS -Standard.
2 Merkmale
Niedrige Torladung
Hervorragende Schaltgeschwindigkeit
Einfache Paralleling -Fähigkeit aufgrund des positiven Temperaturkoeffizienten in vcesat
Dieser bipolare Transistor des isolierten Gates verwendete fortschrittliches Design von Graben- und FieldStop -Technologie, das eine hervorragende Vcesat- und Schaltgeschwindigkeit und eine niedrige Gate -Ladung lieferte. Das entspricht dem ROHS -Standard.
2 Merkmale
Niedrige Torladung
Hervorragende Schaltgeschwindigkeit
Einfache Paralleling -Fähigkeit aufgrund des positiven Temperaturkoeffizienten in vcesat
