50A 1200V Halbbrücken-IGBT-Modul DHG50N120D 34mm

50A 1200V Halbbrückenmodul

1 Beschreibung 

Diese Bipolartransistoren mit isoliertem Gate verwenden ein fortschrittliches Trench- und Fieldstop-Technologiedesign und bieten eine hervorragende VCEsat- und Schaltgeschwindigkeit sowie eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht. 

2 Funktionen 

• Niedrige Gate-Ladung 

• Hervorragende Schaltgeschwindigkeit 

• Einfache Parallelschaltungsfähigkeit aufgrund des positiven Temperaturkoeffizienten in VCEsat 

• Tsc≥10µs 

• Antiparallele Diode mit schneller Wiederherstellung des Vollstroms 

3 Anwendungen 

• Schweißen 

• UPS 

• Dreistufiger Wechselrichter 

• AC- und DC-Servoantriebsverstärker