πύλη
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Είστε εδώ: Σπίτι » Προϊόντα » ΕΝΟΤΗΤΑ IGBT » PIM » Μονάδα 50A 1200V Halfridge IGBT DHG50N120D 34mm

φόρτωση

Κοινοποίηση σε:
κουμπί κοινής χρήσης facebook
κουμπί κοινής χρήσης twitter
κουμπί κοινής χρήσης γραμμής
κουμπί κοινής χρήσης wechat
κουμπί κοινής χρήσης linkedin
κουμπί κοινής χρήσης pinterest
κουμπί κοινής χρήσης whatsapp
κοινοποιήστε αυτό το κουμπί κοινής χρήσης

Μονάδα μισής γέφυρας 50A 1200V IGBT DHG50N120D 34mm

Αυτό το διπολικό τρανζίστορ Insulated Gate χρησιμοποιούσε προηγμένη σχεδίαση τεχνολογίας τάφρου και Fieldstop, παρείχε εξαιρετική ταχύτητα VCEsat και μεταγωγή, χαμηλή φόρτιση πύλης. Το οποίο συμφωνεί με το πρότυπο RoHS.
Διαθεσιμότητα:
Ποσότητα:
  • DHG50N120D

  • WXDH

  • DHG50N120D

  • 34 χιλιοστά

  • DHG50N120D.pdf

  • 1200V

  • 50Α

Μονάδα μισής γέφυρας 50A 1200V

1 Περιγραφή 

Αυτό το διπολικό τρανζίστορ Insulated Gate χρησιμοποιούσε προηγμένη σχεδίαση τεχνολογίας τάφρου και Fieldstop, παρείχε εξαιρετική ταχύτητα VCEsat και μεταγωγή, χαμηλή φόρτιση πύλης. Το οποίο συμφωνεί με το πρότυπο RoHS. 

2 Χαρακτηριστικά 

  • Χαμηλή χρέωση πύλης 

  • Εξαιρετική ταχύτητα εναλλαγής 

  • Δυνατότητα εύκολης παραλληλοποίησης λόγω θετικού συντελεστή θερμοκρασίας σε VCEsat 

  • Tsc≥10µs 

  • Γρήγορη ανάκτηση πλήρους ρεύματος αντιπαράλληλη δίοδος 

3 Εφαρμογές 

  • Συγκόλληση 

  • UPS 

  • Μετατροπέας τριών επιπέδων 

  • Ενισχυτής σερβοκινητήρα AC και DC


Τύπος VCE Ic VCEsat,Tj=25℃ Tjop Πακέτο
DHG50N120D 1200V 50A (Tj=100℃) 1,8 V (Τύπος) 175℃ 34mm


Προηγούμενος: 
Επόμενος: 
  • Εγγραφείτε για το ενημερωτικό μας δελτίο
  • ετοιμαστείτε για το μέλλον
    εγγραφείτε στο ενημερωτικό μας δελτίο για να λαμβάνετε ενημερώσεις κατευθείαν στα εισερχόμενά σας