Ezek a szigetelt kapu bipoláris tranzisztor fejlett árok- és mezőstop technológiai kialakítást használt, kiváló vCesat és váltási sebességet nyújtott, alacsony kapu töltéssel. Amely megfelel a ROHS szabványnak.
Ezek a szigetelt kapu bipoláris tranzisztor fejlett árok- és mezőstop technológiai kialakítást használt, kiváló vCesat és váltási sebességet nyújtott, alacsony kapu töltéssel. Amely megfelel a ROHS szabványnak.
2 Jellemzők
Alacsony kapu töltés
Kiváló váltási sebesség
Könnyű párhuzamos képesség a vCesat pozitív hőmérsékleti együtthatója miatt
TSC ≥10µs
Gyors helyreállítás teljes áramú párhuzamellenes dióda
3 alkalmazás
Hegesztés
UPS
Háromszintű inverter
AC és DC Servo Drive erősítő
Beír
Vce
IC
VCesat, tJ = 25 ℃
Tjop
Csomag
DHG50N120D
1200 V -os
50a (TJ = 100 ℃)
1,8 V (typ)
175 ℃
34 mm
50A 1200V Half Bridge modul
1 Leírás
Ezek a szigetelt kapu bipoláris tranzisztor fejlett árok- és mezőstop technológiai kialakítást használt, kiváló vCesat és váltási sebességet nyújtott, alacsony kapu töltéssel. Amely megfelel a ROHS szabványnak.
2 Jellemzők
Alacsony kapu töltés
Kiváló váltási sebesség
Könnyű párhuzamos képesség a vCesat pozitív hőmérsékleti együtthatója miatt
TSC ≥10µs
Gyors helyreállítás teljes áramú párhuzamellenes dióda
