kapu
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ön itt van: Otthon » Termékek » IGBT MODUL » PIM » 50A 1200V Félhíd IGBT modul DHG50N120D 34mm

terhelés

Megosztás:
Facebook megosztás gomb
Twitter megosztás gomb
vonalmegosztás gomb
wechat megosztási gomb
linkedin megosztás gomb
pinterest megosztási gomb
WhatsApp megosztási gomb
oszd meg ezt a megosztási gombot

50A 1200V Félhíd IGBT modul DHG50N120D 34mm

Ezek a szigetelt kapus bipoláris tranzisztorok fejlett tranch és Fieldstop technológiát alkalmaztak, kiváló VCEsat-ot és kapcsolási sebességet, alacsony kaputöltést biztosítottak. Ami megfelel a RoHS szabványnak.
Elérhetőség:
Mennyiség:
  • DHG50N120D

  • WXDH

  • DHG50N120D

  • 34 mm

  • DHG50N120D.pdf

  • 1200V

  • 50A

50A 1200V Félhíd modul

1 Leírás 

Ezek a szigetelt kapus bipoláris tranzisztorok fejlett tranch és Fieldstop technológiát alkalmaztak, kiváló VCEsat-ot és kapcsolási sebességet, alacsony kaputöltést biztosítottak. Ami megfelel a RoHS szabványnak. 

2 Jellemzők 

  • Alacsony kaputöltés 

  • Kiváló kapcsolási sebesség 

  • Könnyű párhuzamosítás a VCEsat pozitív hőmérsékletének köszönhetően 

  • Tsc≥10µs 

  • Gyors helyreállítású teljes áramú anti-párhuzamos dióda 

3 Alkalmazások 

  • Hegesztés 

  • UPS 

  • Három fokozatú inverter 

  • AC és DC szervo meghajtó erősítő


Írja be VCE Ic VCEsat, Tj=25 ℃ Tjop Csomag
DHG50N120D 1200V 50 A (Tj = 100 ℃) 1,8 V (típus) 175℃ 34 mm


Előző: 
Következő: 
  • Iratkozzon fel hírlevelünkre
  • készüljön fel a jövőre,
    iratkozzon fel hírlevelünkre, hogy közvetlenül a postaládájába kapja a frissítéseket