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270A 120V N-Kanal-Verbesserungsmodus Power MOSFET DHS044N12U Toll-Paket

Diese N-Channel-Verbesserungsmodus-MOSFETs verwendeten fortschrittliche Splite-Gate-Graben-Technologie-Design und bildeten eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard.
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270a 120V N-Kanal-Verbesserungsmodus Power MOSFET

1 Beschreibung 

Dieser N-Kanal-Verbesserungsmodus-Power MOSFET verwendet die fortschrittliche Split-Gate-Grabentechnologie, die gleichzeitig eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung bietet. Das entspricht dem ROHS -Standard. 


2 Merkmale 

● Niedrig des Widerstands 

● Ladung mit niedriger Gate 

● schnelles Umschalten

● Niedrige Umkehrtransferkapazität

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest 

● 100% ΔVDS -Test


3 Anwendungen 

● Synchrone Korrektur in SMPs 

● Motorsteuerung und Antrieb 

● Batteriemanagement

● ups 

● Elektrowerkzeuge


VDSS RDS (ON) (Typ) AUSWEIS
120 V 2,7 mΩ 270a


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