270A 120V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DHS044N12U ԱՆՎՃԱՐ ՓԱԹԵԹ

270A 120V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

1 Նկարագրություն 

Այս N-ալիքի ընդլայնման ռեժիմի հզոր MOSFET-ը օգտագործում է առաջադեմ Split Gate Trench տեխնոլոգիա, որն ապահովում է հիանալի Rdson և միևնույն ժամանակ ցածր Gate լիցքավորում: Որը համապատասխանում է RoHS ստանդարտին: 

2 Հատկանիշներ 

● Ցածր դիմադրություն 

● Դարպասի ցածր լիցքավորում 

● Արագ միացում

● Հակադարձ փոխանցման ցածր հզորություններ

● 100% մեկ իմպուլսային ավալանշ էներգիայի փորձարկում 

● 100% ΔVDS թեստ

3 Դիմումներ 

● Սինխրոն ուղղում SMPS-ում 

● Շարժիչի կառավարում և շարժիչ 

● Մարտկոցի կառավարում

● UPS 

● Էլեկտրական գործիքներ

VDSS	RDS(միացված)(TYP)	ID
120 Վ	2,7 mΩ	270 Ա