270A 120V โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ N-channel Power MOSFET DHS044N12U แพคเกจค่าผ่านทาง

270A 120V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

1 คำอธิบาย 

MOSFET พลังงานโหมดเพิ่มประสิทธิภาพ N-channel นี้ใช้เทคโนโลยี Split Gate Trench ขั้นสูง ซึ่งให้ค่า Rdson และ Low Gate ที่ยอดเยี่ยมในเวลาเดียวกัน ซึ่งสอดคล้องกับมาตรฐาน RoHS 

2 คุณสมบัติ 

● ความต้านทานต่ำ 

● ค่าเกตต่ำ 

● การสลับอย่างรวดเร็ว

● ความจุการถ่ายโอนแบบย้อนกลับต่ำ

● การทดสอบพลังงานหิมะถล่มพัลส์เดี่ยว 100% 

● การทดสอบ ΔVDS 100%

3 การใช้งาน 

● การแก้ไขแบบซิงโครนัสใน SMPS 

● การควบคุมมอเตอร์และการขับเคลื่อน 

● การจัดการแบตเตอรี่

● ยูพีเอส 

● เครื่องมือไฟฟ้า

วีดีเอสเอส	RDS (บน) (ประเภท)	บัตรประจำตัวประชาชน
120V	2.7mΩ	270A