100A 68V N-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET DHS031N07P DFN5*6

100A 68V N-Kanal-Verbesserungsmodus Power MOSFET

1 Beschreibung 

Diese N-Channel-Verbesserungsmodus-MOSFETs verwendeten fortschrittliche Splite-Gate-Graben-Technologie-Design und bildeten eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard. 

2 Merkmale 

● schnelles Umschalten 

● Niedrig des Widerstands 

● Ladung mit niedriger Gate 

● Niedrige Umkehrtransferkapazität 

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest

● 100% ΔVDS -Test 

3 Anwendungen 

● Stromschaltanwendungen 

● Hartschalter und Hochgeschwindigkeitskreislauf 

● Elektrowerkzeuge 

● ups 

● Motorsteuerung