100A 68V N-kanal Enhancement Mode Power MOSFET DHS031N07P DFN5*6

100A 68V N-kanal Enhancement Mode Power MOSFET

1 Beskrivelse 

Disse N-kanal-forbedringstilstande power-mosfets brugte avanceret split-gate trench-teknologi design, gav fremragende Rdson og lav gate-opladning. Hvilket er i overensstemmelse med RoHS-standarden. 

2 funktioner 

● Hurtigt skifte 

● Lav modstand 

● Lav portladning 

● Lave omvendte overførselskapacitanser 

● 100 % enkeltpuls lavineenergitest

● 100 % ΔVDS-test 

3 Ansøgninger 

● Strømskifteapplikationer 

● Hard switching og højhastighedskredsløb 

● Elværktøj 

● UPS 

● Motorstyring

VDSS	RDS(on)(TYP)	ID
68V	3 mΩ	100A