100A 68V N-channel မြှင့်တင်မုဒ် ပါဝါ MOSFET DHS031N07P DFN5*6

100A 68V N-channel Enhancement Mode ပါဝါ MOSFET

1 ဖော်ပြချက် 

ဤ N-channel မြှင့်တင်မှုမုဒ်ပါဝါ mosfets များသည် အလွန်ကောင်းမွန်သော Rdson နှင့် low gate charge ကိုပေးစွမ်းသော အဆင့်မြင့် splite gate trench နည်းပညာကို အသုံးပြုထားသည်။ RoHS စံနှုန်းနဲ့ ကိုက်ညီပါတယ်။ 

အင်္ဂါရပ် ၂ ခု 

● အမြန်ပြောင်းခြင်း။ 

● ခုခံမှုနည်းသည်။ 

● နိမ့်သောဂိတ်တာဝန်ခံ 

● နိမ့်သောပြောင်းပြန်လွှဲပြောင်းစွမ်းရည် 

● 100% single pulse avalanche စွမ်းအင်စမ်းသပ်မှု

● 100% ΔVDS စမ်းသပ်မှု 

3 လျှောက်လွှာများ 

● ပါဝါပြောင်းခြင်း အပလီကေးရှင်းများ 

● Hard switching နှင့် high speed circuit များ 

● ပါဝါကိရိယာများ 

● UPS 

● မော်တာထိန်းချုပ်မှု

VDSS	RDS(ဖွင့်)(TYP)	အမှတ်သညာ
68V	3 mΩ	100A