100A 68V N-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET DHS031N07P DFN5*6

100A 68V N-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET

1 Açıklama 

Bu N-kanal geliştirme modu güç mosfetleri, gelişmiş splitegate hendek teknolojisi tasarımını kullandı ve mükemmel Rdson ve düşük geçit şarjı sağladı. RoHS standardına uygundur. 

2 Özellikler 

● Hızlı geçiş 

● Düşük direnç 

● Düşük kapı ücreti 

● Düşük ters transfer kapasitansları 

● %100 tek darbeli çığ enerjisi testi

● %100 ΔVDS testi 

3 Uygulama 

● Güç anahtarlama uygulamaları 

● Sert anahtarlama ve yüksek hızlı devre 

● Elektrikli aletler 

● UPS 

● Motor kontrolü

VDSS	RDS(açık)(TİP)	İD
68V	3 mΩ	100A