Режим удосконалення N00 В 400 В

10A 400V N-канальний режим Power Power Mosfet

1 опис

Ці N-канальні покращені VDMOSFETS, отримують за допомогою самовигалученої планарної технології, яка зменшує втрати провідності, покращує ефективність перемикання та покращує енергію лавини. Що відповідає стандарту ROHS. 

2 особливості 

● Швидкий перемикання 

● Низьке резиденція на державі (rdson≤0,55ω)

● Низький заряд воріт (тип: 23 нс) 

● низька ємність зворотного перенесення (тип: 8pf)

● 100% випробування на енергетику з одноразовим лавином 

● 100% ΔVDS -тест 

3 програми 

● Використовується в різних схемах перемикання живлення для мініатюризації системи та більш високої ефективності. 

● Схема вимикача живлення адаптера та зарядного пристрою