10A 400V N-kanals Enhancement Mode Power MOSFET
1 Beskrivning
Dessa N-kanals förbättrade vdmosfets, erhålls av den självinriktade plana teknologin som minskar ledningsförlusten, förbättrar växlingsprestandan och förbättrar lavinenergin. Vilket överensstämmer med RoHS-standarden.
2 funktioner
● Snabb växling
● Lågt motstånd i tillståndet (Rdson≤0,55Ω)
● Låg grindladdning (typ: 23nC)
● Låga omvända överföringskapacitanser (typ: 8pF)
● 100 % enkelpuls lavinenergitest
● 100 % ΔVDS-test
3 Applikationer
● Används i olika kraftomkopplingskretsar för systemminiatyrisering och högre effektivitet.
● Strömbrytarkrets för adapter och laddare
| VDSS |
RDS(på)(TYP) |
ID |
| 400V |
0,44Ω |
10A |