10A 400V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET F740 TO-220F

10A 400V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

1 Նկարագրություն

Այս N-ալիքով ուժեղացված vdmosfets-ը ստացվում է ինքնահաստատված հարթ տեխնոլոգիայի միջոցով, որը նվազեցնում է հաղորդման կորուստը, բարելավում է անջատման աշխատանքը և մեծացնում ավալանշի էներգիան: Որը համապատասխանում է RoHS ստանդարտին: 

2 Հատկանիշներ 

● Արագ միացում 

● Ցածր վիճակի դիմադրություն (Rdson≤0,55Ω)

● Դարպասի ցածր լիցքավորում (տեսակը՝ 23nC) 

● Հակադարձ փոխանցման ցածր հզորություններ (տեսակը՝ 8 pF)

● 100% մեկ իմպուլսային ավալանշ էներգիայի փորձարկում 

● 100% ΔVDS թեստ 

3 Դիմումներ 

● Օգտագործվում է էներգիայի միացման տարբեր սխեմաներում համակարգի մանրացման և ավելի բարձր արդյունավետության համար: 

● Ադապտերի և լիցքավորիչի հոսանքի անջատիչի միացում

VDSS	RDS (միացված) (TYP)	ID
400 Վ	0,44 Ω	10 Ա