Kullanılabilirliği: | |
---|---|
Miktar: | |
F740
WXDH
220f TO
400V
10a
10A 400V N Kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET
1 Açıklama
Bu N-kanallı geliştirilmiş VDMOSFET'ler, iletim kaybını azaltan, anahtarlama performansını artıran ve çığ enerjisini artıran kendi kendine hizalanmış düzlemsel teknoloji ile elde edilir. ROHS standardı ile uyumludur.
2 Özellik
● Hızlı anahtarlama
● Düşük durum üzerinde direksiyon (RDSON≤0.55Ω)
● Düşük kapı şarjı (tip: 23NC)
● Düşük ters transfer kapasitansları (tip: 8pf)
●% 100 tek nabız çığ enerji testi
●% 100 ΔVDS testi
3 Uygulama
● Sistem minyatürleştirme ve daha yüksek verimlilik için çeşitli güç anahtarlama devresinde kullanılır.
● Adaptör ve şarj cihazının güç anahtarı devresi
VDSS | RDS (ON) (tip) | İD |
400V | 0.44Ω | 10a |
10A 400V N Kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET
1 Açıklama
Bu N-kanallı geliştirilmiş VDMOSFET'ler, iletim kaybını azaltan, anahtarlama performansını artıran ve çığ enerjisini artıran kendi kendine hizalanmış düzlemsel teknoloji ile elde edilir. ROHS standardı ile uyumludur.
2 Özellik
● Hızlı anahtarlama
● Düşük durum üzerinde direksiyon (RDSON≤0.55Ω)
● Düşük kapı şarjı (tip: 23NC)
● Düşük ters transfer kapasitansları (tip: 8pf)
●% 100 tek nabız çığ enerji testi
●% 100 ΔVDS testi
3 Uygulama
● Sistem minyatürleştirme ve daha yüksek verimlilik için çeşitli güç anahtarlama devresinde kullanılır.
● Adaptör ve şarj cihazının güç anahtarı devresi
VDSS | RDS (ON) (tip) | İD |
400V | 0.44Ω | 10a |