210A 60V N-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET N6005 TO-220C

180A 60V N-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET

1 Açıklama 

Bu N-kanal geliştirme modu güç mosfetleri, gelişmiş kanal teknolojisi tasarımını kullanmış, mükemmel Rdson ve düşük geçit şarjı sağlamıştır. RoHS standardına uygundur. 

2 Özellikler 

● Düşük direnç

● Düşük kapı ücreti 

● Hızlı geçiş

● Düşük ters transfer kapasitansları 

● %100 tek darbeli çığ enerjisi testi 

● %100 ΔVDS testi 

3 Uygulama 

● Güç kaynağının değiştirilmesi 

● İnverter güç yönetim sistemi 

● Elektrikli alet kontrolü 

● Otomotiv elektroniği uygulamaları

VDSS	RDS(açık)(TİP)	İD
60V	2,2 mΩ	180A