2A 650V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET B2N65

2A MOSFET i fuqisë së modalitetit të përmirësimit të kanalit N 650 V

1 Përshkrimi

Këto vdmosfet të zgjeruara me kanal N, përftohen nga teknologjia planare e vetë-linjëzuar e cila redukton humbjen e përcjelljes, përmirëson performancën e ndërrimit dhe rrit energjinë e ortekëve. Që përputhet me standardin RoHS. 

2 Karakteristikat

● Ndërrimi i shpejtë 

● Aftësia e përmirësuar ESD

● Rezistencë e ulët (Rdson≤5,5Ω) 

● Ngarkesa e ulët e portës (Lloji: 9,5nC) 

● Kapacitete të ulëta të transferimit të kundërt (Lloji: 3pF) 

● Testi i energjisë së ortekëve me puls 100% të vetëm

● Testi 100% ΔVDS 

3 Aplikacionet

● Përdoret në qark të ndryshëm komutues të energjisë për miniaturizimin e sistemit dhe efikasitet më të lartë. 

● Qarku i ndërprerësit të rrymës së çakëllit elektronik dhe përshtatësit.

VDSS	RDS (aktiv) (TYP)	ID
650 V	4.6 Ω	2A