Dostupnost: | |
---|---|
Količina: | |
B2N65
WXDH
TO-251B
650V
2a
2A 650V N-kanal Način poboljšanja Power Mosfet
1 Opis
Ovi n-kanalni poboljšani VDMOSFET-ovi dobivaju se samostalno usklađenom ravninskom tehnologijom koja smanjuje gubitak kondukcije, poboljšava performanse prebacivanja i poboljšava energiju lavine. Koji se slaže sa ROHS standardom.
2 značajke
● Brzo prebacivanje
● ESD poboljšala sposobnost
● Nizak otpor (Rdson≤5.5Ω)
● Naboj s malim vratima (Typ: 9,5NC)
● Niske kondenzacije obrnutog prijenosa (Typ: 3PF)
● 100% pojedinačni test energetike pulsa
● 100% ΔVDS test
3 prijave
● Koristi se u različitim sklopnim sklopovima napajanja za minijaturizaciju sustava i veću učinkovitost.
● Krug sklopke napajanja elektronskog balasta i adaptera.
VDSS | RDS (ON) (Tip) | Osobna iskaznica |
650V | 4,6Ω | 2a |
2A 650V N-kanal Način poboljšanja Power Mosfet
1 Opis
Ovi n-kanalni poboljšani VDMOSFET-ovi dobivaju se samostalno usklađenom ravninskom tehnologijom koja smanjuje gubitak kondukcije, poboljšava performanse prebacivanja i poboljšava energiju lavine. Koji se slaže sa ROHS standardom.
2 značajke
● Brzo prebacivanje
● ESD poboljšala sposobnost
● Nizak otpor (Rdson≤5.5Ω)
● Naboj s malim vratima (Typ: 9,5NC)
● Niske kondenzacije obrnutog prijenosa (Typ: 3PF)
● 100% pojedinačni test energetike pulsa
● 100% ΔVDS test
3 prijave
● Koristi se u različitim sklopnim sklopovima napajanja za minijaturizaciju sustava i veću učinkovitost.
● Krug sklopke napajanja elektronskog balasta i adaptera.
VDSS | RDS (ON) (Tip) | Osobna iskaznica |
650V | 4,6Ω | 2a |