2A 650V N-kanal Enhancement Mode Power MOSFET B2N65

2A 650V N-kanal Enhancement Mode Power MOSFET

1 Beskrivelse

Disse N-kanal forbedrede vdmosfets opnås af den selvjusterede plane teknologi, som reducerer ledningstabet, forbedrer switching ydeevne og forbedrer lavineenergien. Hvilket er i overensstemmelse med RoHS-standarden. 

2 funktioner

● Hurtigt skift 

● ESD forbedret kapacitet

● Lav modstand (Rdson≤5,5Ω) 

● Lav portladning (Type: 9,5nC) 

● Lave omvendte overførselskapacitanser (Type: 3pF) 

● 100 % enkeltpuls lavineenergitest

● 100 % ΔVDS-test 

3 Ansøgninger

● Anvendes i forskellige strømomskifterkredsløb til systemminiaturisering og højere effektivitet. 

● Strømafbryderkredsløb for elektronballast og adapter.

VDSS	RDS(on)(TYP)	ID
650V	4,6Ω	2A