2A 650V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET B2N65

2A 650V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

1 تفصیل

یہ این چینل بڑھائے گئے VDMOSFETs ، خود سے منسلک پلانر ٹکنالوجی کے ذریعہ حاصل کیا جاتا ہے جو ترسیل کے نقصان کو کم کرتا ہے ، سوئچنگ کی کارکردگی کو بہتر بناتا ہے اور برفانی تودے کی توانائی کو بڑھاتا ہے۔ جو ROHS معیار کے ساتھ معاہدہ کرتا ہے۔ 

2 خصوصیات

● تیز سوئچنگ 

● ESD میں بہتری کی صلاحیت

resistance کم مزاحمت (rdson≤5.5ω) 

● کم گیٹ چارج (ٹائپ: 9.5nc) 

relu کم ریورس ٹرانسفر کیپسیٹینسیس (ٹائپ: 3pf) 

● 100 ٪ سنگل پلس برفانی تودے کا ٹیسٹ

● 100 ٪ ΔVDS ٹیسٹ 

3 درخواستیں

system سسٹم منیٹورائزیشن اور اعلی کارکردگی کے لئے مختلف پاور سوئچنگ سرکٹ میں استعمال کیا جاتا ہے۔ 

● الیکٹران گٹی اور اڈاپٹر کا پاور سوئچ سرکٹ۔