در دسترس بودن: | |
---|---|
مقدار: | |
B2N65
WXDH
به 251b
650 ولت
2a
2A 650V N-channel Mode Mode MOSFET
1 توضیحات
این VDMOSFET های پیشرفته N- کانال ، توسط فناوری مسطح خود تراز شده که باعث کاهش از دست دادن هدایت ، بهبود عملکرد سوئیچینگ و افزایش انرژی بهمن می شود ، بدست می آید. که با استاندارد ROHS مطابقت دارد.
2 ویژگی
● سوئیچینگ سریع
● ESD قابلیت بهبود یافته
● کم مقاومت (Rdson≤5.5Ω)
legh شارژ پایین دروازه (TYP: 9.5nc)
● خازن انتقال معکوس پایین (TYP: 3PF)
● 100 ٪ تست انرژی بهمن پالس تک
● 100 ٪ تست ΔVDS
3 برنامه
● در مدار مختلف سوئیچینگ برق برای کوچک سازی سیستم و راندمان بالاتر استفاده می شود.
circuit مدار سوئیچ برق از بالاست و آداپتور الکترونی.
vdss | rds (روشن) (تایپ) | شناسه |
650 ولت | 4.6Ω | 2a |
2A 650V N-channel Mode Mode MOSFET
1 توضیحات
این VDMOSFET های پیشرفته N- کانال ، توسط فناوری مسطح خود تراز شده که باعث کاهش از دست دادن هدایت ، بهبود عملکرد سوئیچینگ و افزایش انرژی بهمن می شود ، بدست می آید. که با استاندارد ROHS مطابقت دارد.
2 ویژگی
● سوئیچینگ سریع
● ESD قابلیت بهبود یافته
● کم مقاومت (Rdson≤5.5Ω)
legh شارژ پایین دروازه (TYP: 9.5nc)
● خازن انتقال معکوس پایین (TYP: 3PF)
● 100 ٪ تست انرژی بهمن پالس تک
● 100 ٪ تست ΔVDS
3 برنامه
● در مدار مختلف سوئیچینگ برق برای کوچک سازی سیستم و راندمان بالاتر استفاده می شود.
circuit مدار سوئیچ برق از بالاست و آداپتور الکترونی.
vdss | rds (روشن) (تایپ) | شناسه |
650 ولت | 4.6Ω | 2a |