brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nachádzate sa tu: Domov » Produkty » MOSFET » 12V-300V N MOS » 170A 85V N-channel režim vylepšenia napájania MOSFET DSP032N08NA DFN5X6

načítavanie

Zdieľať s:
tlačidlo zdieľania na facebooku
tlačidlo zdieľania na Twitteri
tlačidlo zdieľania linky
tlačidlo zdieľania wechat
prepojené tlačidlo zdieľania
tlačidlo zdieľania na pintereste
tlačidlo zdieľania whatsapp
zdieľať toto tlačidlo zdieľania

170A 85V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DSP032N08NA DFN5X6

Tieto výkonové mosfety s režimom N-kanálového vylepšenia využívali pokročilý dizajn technológie delenej brány, ktorý poskytoval vynikajúci Rdson a nízky náboj brány. Čo je v súlade s normou RoHS.
Dostupnosť:
Množstvo:

Výkonový MOSFET 170A 85V N-channel Mode Enhancement Mode


1 Popis 

Tieto výkonové mosfety s režimom vylepšenia N-kanálov využívali pokročilý dizajn technológie delenej brány, ktorý poskytoval vynikajúci Rdson a nízky náboj brány. Čo je v súlade s normou RoHS. 


2 Vlastnosti

● Kvalifikácia AEC-Q101 

● Rýchle prepínanie 

● Nízky odpor 

● Nízky poplatok za bránu 

● Vysoký lavínový prúd 

● Nízke kapacity spätného prenosu 

● 100% test lavínovej energie s jedným impulzom 

● 100 % test ΔVDS 


3 Aplikácie 

● Synchrónna náprava v SMPS

● Tvrdé spínanie a vysokorýchlostný obvod 

● Elektrické náradie 

● UPS 

● Ovládanie motora



VDSS RDS(zapnuté)(TYP) ID
85V 2,4 mΩ 170A


Predchádzajúce: 
Ďalej: 
  • Prihláste sa na odber nášho newslettera
  • pripravte sa na budúce,
    prihláste sa na odber nášho bulletinu, aby ste dostávali aktualizácie priamo do vašej doručenej pošty