170A 85V N-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET DSP032N08NA DFN5X6

170A 85V N-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET

1 Açıklama 

Bu N-kanal geliştirme modu güç mosfetleri, gelişmiş splitegate hendek teknolojisi tasarımını kullandı ve mükemmel Rdson ve düşük geçit şarjı sağladı. RoHS standardına uygundur. 

2 Özellikler

● AEC-Q101 onaylı 

● Hızlı geçiş 

● Düşük direnç 

● Düşük kapı ücreti 

● Yüksek çığ akıntısı 

● Düşük ters transfer kapasitansları 

● %100 tek darbeli çığ enerjisi testi 

● %100 ΔVDS testi 

3 Uygulama 

● SMPS'de eşzamanlı düzeltme

● Sert anahtarlama ve yüksek hızlı devre 

● Elektrikli aletler 

● UPS 

● Motor kontrolü

VDSS	RDS(açık)(TİP)	İD
85V	2,4mΩ	170A