port
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Du er her: Hjem » Produkter » MOSFET » 12V-300V N MOS » 170A 85V N-kanal Enhancement Mode Power MOSFET DSP032N08NA DFN5X6

indlæsning

Del til:
facebook delingsknap
twitter-delingsknap
knap til linjedeling
wechat-delingsknap
linkedin-delingsknap
pinterest delingsknap
whatsapp delingsknap
del denne delingsknap

170A 85V N-kanal Enhancement Mode Power MOSFET DSP032N08NA DFN5X6

Disse N-kanal-forbedringstilstande power-mosfets brugte avanceret split-gate trench-teknologi design, gav fremragende Rdson og lav gate-opladning. Hvilket er i overensstemmelse med RoHS-standarden.
Tilgængelighed:
Antal:

170A 85V N-kanal Enhancement Mode Power MOSFET


1 Beskrivelse 

Disse N-kanal-forbedringstilstande power-mosfets brugte avanceret split-gate trench-teknologi design, gav fremragende Rdson og lav gate-opladning. Hvilket er i overensstemmelse med RoHS-standarden. 


2 funktioner

● AEC-Q101 kvalificeret 

● Hurtigt skifte 

● Lav modstand 

● Lav portladning 

● Høj lavinestrøm 

● Lave omvendte overførselskapacitanser 

● 100 % enkeltpuls lavineenergitest 

● 100 % ΔVDS-test 


3 Ansøgninger 

● Synkron ensretning i SMPS

● Hard switching og højhastighedskredsløb 

● Elværktøj 

● UPS 

● Motorstyring



VDSS RDS(on)(TYP) ID
85V 2,4 mΩ 170A


Tidligere: 
Næste: 
  • Tilmeld dig vores nyhedsbrev
  • gør dig klar til fremtiden
    tilmeld dig vores nyhedsbrev for at få opdateringer direkte i din indbakke