120A 85V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS045N85 TO-220C

120A 85V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET

1 Popis 

Tieto výkonové mosfety s režimom vylepšenia N-kanálov využívali pokročilý dizajn technológie delenej brány, ktorý poskytoval vynikajúci Rdson a nízky náboj brány. Čo je v súlade s normou RoHS. 

2 Vlastnosti 

● Rýchle prepínanie 

● Nízky odpor 

● Nízky poplatok za bránu 

● Vysoký lavínový prúd 

● Nízke kapacity spätného prenosu

● 100% test lavínovej energie s jedným impulzom 

● 100 % test ΔVDS 

3 Aplikácie

● Synchrónna náprava v SMPS

● Tvrdé spínanie a vysokorýchlostný obvod

● Elektrické náradie

● UPS

● Ovládanie motora

VDSS	RDS(zapnuté)(TYP)	ID
85V	4,7 mΩ	120A