未命名 (1) (8) (1)
gate
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
DU ÄR HÄR: Hem » Produkt » Mosfet » 12V-300V N MOS 120A 85V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DHS045N85 TO-220C

belastning

Dela till:
Facebook -delningsknapp
Twitter -delningsknapp
linjedelningsknapp
WeChat Sharing -knapp
LinkedIn Sharing -knapp
Pinterest Sharing -knapp
whatsapp delningsknapp
Sharethis Sharing -knapp

120A 85V N-kanal förbättringsläge Power MOSFET DHS045N85 TO-220C

Dessa N-kanalförbättringsläge Power MOSFETS använde avancerad Splite Gate Trench-teknikdesign, gav utmärkt RDSON och låg grindladdning. Som överensstämmer med ROHS -standarden.
 
Tillgänglighet:
Kvantitet:
Fråga Lägg till i korgen

120A 85V N-kanalförbättringsläge Power MOSFET


1 Beskrivning 

Dessa N-kanalförbättringsläge Power MOSFETS använde avancerad Splite Gate Trench-teknikdesign, gav utmärkt RDSON och låg grindladdning. Som överensstämmer med ROHS -standarden. 


2 funktioner 

● Snabbbrytning 

● Låg motstånd 

● Låg grindavgift 

● Hög lavinström 

● Låg omvänd överföringskapacitanser

● 100% enkelpuls snöskredsenergitest 

● 100% ΔVDS -test 


3 applikationer

● Synkron rättelse i SMPS

● Hård omkoppling och höghastighetskrets

● Strömverktyg

● UPS

● Motorstyrning

Vds Rds (on) (typ) Id
85V 4,7 mΩ 120A


ladda ner DONGHAI_DHS045N85 & DHS045N85E & DHS045N85I _DATASHEET_V2.0.PDF

Tidigare: 
Nästa: 
Mosfet 15A 650V N-kanalförbättringsläge Power MOSFET
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Registrera dig för vårt nyhetsbrev
  • Gör dig redo för den framtida
    registreringen för vårt nyhetsbrev för att få uppdateringar direkt till din inkorg
    Överlämna
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology av Leadong.com