gerbang
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Anda di sini: Rumah » Produk » MOSFET » 12V-300V n Mos » 120a 85V N-Channel Mode Peningkatan Daya MOSFET DHS045N85 TO-220C

memuat

Bagikan ke:
Tombol Berbagi Facebook
Tombol Berbagi Twitter
tombol berbagi baris
Tombol Berbagi WeChat
Tombol Berbagi LinkedIn
Tombol Berbagi Pinterest
Tombol Berbagi WhatsApp
Tombol Berbagi Sharethis

120A 85V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DHS045N85 TO-220C

Mode Peningkatan N-Channel Power MOSFET ini menggunakan desain teknologi parit gerbang splite canggih, memberikan RDSON yang sangat baik dan biaya gerbang rendah. Yang sesuai dengan standar ROHS.
 
Tersedianya:
Kuantitas:

120A 85V N-saluran Mode Peningkatan MOSFET


1 deskripsi 

Mode Peningkatan N-Channel Power MOSFET ini menggunakan desain teknologi parit gerbang splite canggih, memberikan RDSON yang sangat baik dan biaya gerbang rendah. Yang sesuai dengan standar ROHS. 


2 fitur 

● Pergantian cepat 

● Rendah pada resistensi 

● Biaya gerbang rendah 

● Arus longsoran salju tinggi 

● Kapasitansi transfer terbalik rendah

● Tes energi longsor pulsa tunggal 100% 

● Tes 100% ΔVDS 


3 aplikasi

● Perbaikan sinkron di SMPS

● switching keras dan sirkuit kecepatan tinggi

● Alat listrik

● UPS

● Kontrol motor

VDSS RDS (on) (Typ) PENGENAL
85v 4.7mΩ 120a


Sebelumnya: 
Berikutnya: 
  • Mendaftar untuk buletin kami
  • Bersiaplah untuk Masa Depan
    Mendaftar untuk Newsletter kami untuk mendapatkan pembaruan langsung ke kotak masuk Anda