В постоянно развивающемся мире электроинструментов спрос на лучшую производительность, более длительное время автономной работы и повышение надежности продолжает расти.

В современном быстро развивающемся, технологическом мире системы непрерывного питания (UPS) имеют решающее значение для обеспечения непрерывной работы для отраслей, которые зависят от чувствительного и высокого оборудования.

За последние несколько десятилетий в мире силовой электроники наблюдается огромные достижения, с более эффективными, надежными и экономически эффективными компонентами, появляющимися для различных применений. Одним из таких инноваций в этой области является биполярный транзистор с изолированным затвором траншеи (IGBT).

Power Electronics является основой современных электрических систем, помогая преобразовать, управлять и управлять электрической энергией для различных применений.

В современном быстро меняющемся технологическом мире спрос на эффективные, надежные и компактные электронные компоненты выше, чем когда-либо. Одним из таких компонентов, делающих значительные шаги в современной электронике, является плоский MOSFET.

Силовая электроника имеет решающее значение в различных применениях, включая промышленные машины, системы возобновляемых источников энергии, электромобили (EV) и домашние приборы.

Системы преобразования энергии играют решающую роль в эффективном распределении и использовании электрической энергии.

Power Electronics является жизненно важным аспектом современной технологии, обеспечивающей преобразование и управление электрической энергией в различных приложениях, таких как промышленные машины, системы возобновляемых источников энергии, электромобили (EV) и потребительская электроника.

В современном мире спрос на более эффективные, компактные и мощные электронные системы никогда не был выше. По мере того, как отрасли движутся к автоматизации, решениям возобновляемых источников энергии и электромобилях, потребность в передовой технологии преобразования электроэнергии становится все более важной.

ВВЕДЕНИЕ В Царстве электронных компонентов, металлический оксид-полупроводник поля транзистора (MOSFET) стал фундаментальным строительным блоком в современной схеме. В то время как традиционные биполярные переходные транзисторы (BJT) сыграли значительную роль в развитии электронного разработки