Наличие: | |
---|---|
Количество: | |
Описание
В этих биполярных транзисторах с изолированным затвором использованы передовые технологии траншеи и Fieldstop, обеспечивающие превосходное VCEsat и скорость переключения, низкий заряд затвора.Что соответствует стандарту RoHS.
Функции
ROUM Field Stop Trench IGBT обеспечивают низкие коммутационные потери, высокую энергоэффективность и устойчивость к короткому замыканию.
Он предназначен для таких приложений, как управление двигателем, источники бесперебойного питания (ИБП), общие инверторы.
● Низкая плата за ворота.
● Отличная скорость переключения
● Возможность простого параллельного подключения благодаря положительной температуре.
● Коэффициент в VCEsat
● Tsc≥10 мкс
● Противопараллельный диод полного тока с быстрым восстановлением.
● Низкий VCEsat
Приложения
● Сварка
● ИБП
● Трехуровневый инвертор.
● Усилитель сервопривода переменного и постоянного тока.
Описание
В этих биполярных транзисторах с изолированным затвором использованы передовые технологии траншеи и Fieldstop, обеспечивающие превосходное VCEsat и скорость переключения, низкий заряд затвора.Что соответствует стандарту RoHS.
Функции
ROUM Field Stop Trench IGBT обеспечивают низкие коммутационные потери, высокую энергоэффективность и устойчивость к короткому замыканию.
Он предназначен для таких приложений, как управление двигателем, источники бесперебойного питания (ИБП), общие инверторы.
● Низкая плата за ворота.
● Отличная скорость переключения
● Возможность простого параллельного подключения благодаря положительной температуре.
● Коэффициент в VCEsat
● Tsc≥10 мкс
● Противопараллельный диод полного тока с быстрым восстановлением.
● Низкий VCEsat
Приложения
● Сварка
● ИБП
● Трехуровневый инвертор.
● Усилитель сервопривода переменного и постоянного тока.
Компания Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. была основана в декабре 2004 года и расположена по адресу № 88, Zhongtong East Road, Шуофан, район Синьу, город Уси, провинция Цзянсу.Он занимает площадь 15000м2.Уставный капитал составляет 81,5 миллиона юаней.Он имеет годовую производственную линию мощностью 500 миллионов де
Компания Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd., основанная в декабре 2004 года, расположена по адресу № 88, East Zhongtong Road, город Шуофан, район Синьу, город Уси, провинция Цзянсу.Это крупное высокотехнологичное предприятие площадью 15 000 квадратных метров и уставным капиталом в 81,50 миллиона юаней.
Компания Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd., основанная в декабре 2004 года, расположена по адресу № 88, East Zhongtong Road, город Шуофан, район Синьу, город Уси, провинция Цзянсу.Это крупное высокотехнологичное предприятие площадью 15 000 квадратных метров и уставным капиталом в 81,50 миллиона юаней.
Компания Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd., основанная в декабре 2004 года, расположена по адресу № 88, East Zhongtong Road, город Шуофан, район Синьу, город Уси, провинция Цзянсу.Это крупное высокотехнологичное предприятие площадью 15 000 квадратных метров и уставным капиталом в 81,50 миллиона юаней.
Компания Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd., основанная в декабре 2004 года, расположена по адресу № 88, East Zhongtong Road, город Шуофан, район Синьу, город Уси, провинция Цзянсу.Это крупное высокотехнологичное предприятие площадью 15 000 квадратных метров и уставным капиталом в 81,50 миллиона юаней.
Компания Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd., основанная в декабре 2004 года, расположена по адресу № 88, East Zhongtong Road, город Шуофан, район Синьу, город Уси, провинция Цзянсу.Это крупное высокотехнологичное предприятие площадью 15 000 квадратных метров и уставным капиталом в 81,50 миллиона юаней.