未命名(1)(8) (1)
Poartă
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Sunteți aici: Acasă » Produse » MOSFET



Model:
Pachet:
V:
O:
LINII DE PRODUSE SELECTATE:

MOSFET

Imagine Model Pachet V A Fișă tehnică Detalii Cerere Adaugă la coș
220A 20V N-canal Mod de îmbunătățire MOSFET de putere DH009N02P DFN5*6-8 DH009N02P DFN5*6-8 20V 220A Specificația dispozitivului DH009N02P.pdf
13N50AH1/F13N50AH1/ I13N50AH1/E13N50AH1
18N50/F18N50/18N50D
320A 20V N-channel Mod de îmbunătățire MOSFET de putere DH009N02U
180A 85V N-canal Mod de îmbunătățire MOSFET de putere DSD040N08N3A TO-252B DSD040N08N3A TO-252B 85V 180A Dispozitiv+DSD040N08N3A+Specificații+Rev.1.0.pdf
2A 600V N-canal de îmbunătățire mod MOSFET de putere F2N60 TO-220F F2N60 TO-220F 600V 2A
310A 20V N-canal Mod de îmbunătățire MOSFET de putere DH009N02 TO-220C DH009N02 TO-220C 20V 310A Specificația dispozitivului DH009N02.pdf
Modul de îmbunătățire canal N MOSFET de putere 120A 100V DH10H035R TO-220C DH10H035R TO-220C 100V 120A Specificația dispozitivului DH10H035R.pdf
5A 500V N-canal de îmbunătățire mod de putere MOSFET MOSFET D5N50 TO-252B D5N50 TO-252B 500V 5A Specificația dispozitivului D5N50&B5N50.pdf
5A 500V N-canal Mod de îmbunătățire MOSFET de putere B5N50 TO-251B B5N50 TO-251B 500V 5A Specificația dispozitivului D5N50&B5N50.pdf
18A 500V N-canal Mod de îmbunătățire MOSFET de putere 18N50 TO-220C 18N50 TO-220C 500V 18A 英文版18N50技术规格书.pdf
60A 30V N-canal Mod de îmbunătățire MOSFET de putere DH081N03D TO-252B DH081N03D TO-252B 30V 60A Specificația dispozitivului DH081N03.pdf
200V/11mΩ/110A N-MOSFET DSN108N20N TO-3PN DSN108N20N TO-3PN 200V 110A Donghai_DSN108N20N_Datasheet_V1.0.pdf
30A 30V N-canal Mod de îmbunătățire MOSFET de putere DH081N03R DFN3*3-8 DH081N03R DFN3*3-8 30V 30A Specificația dispozitivului DH081N03R.pdf
320A 30V N-canal Mod de îmbunătățire MOSFET de putere DH012N03D TO-252B DH012N03D TO-252B 30V 320A Specificația dispozitivului DH012N03.pdf
4A 650V N-canal Mod de îmbunătățire MOSFET de putere D4N65 TO-252B D4N65 TO-252B 650V 4A 英文版D4N65技术规格书REV1.0.pdf
Modul de îmbunătățire canal N MOSFET de putere 180A 40V DHS020N04D TO-252B DHS020N04D TO-252B 40V 180A Specificația dispozitivului DHS020N04D.pdf
320A 30V N-canal Mod de îmbunătățire MOSFET de putere DH012N03 TO-220C DH012N03 TO-220C 30V 320A Specificația dispozitivului DH012N03.pdf
100A 85V N-canal Mod de îmbunătățire MOSFET de putere DH85N08 TO-220C DH85N08 TO-220C 85V 100A Specificația dispozitivului DH85N08.pdf
8A 500V N-canal Mod de îmbunătățire MOSFET de putere B8N50 TO-251 B8N50 TO-251 500V 8A

Video de produs



  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Înscrieți-vă pentru buletinul nostru informativ
  • pregătiți-vă pentru viitorul
    înscriere la buletinul nostru informativ pentru a primi actualizări direct în căsuța dvs. de e-mail
    Trimiteți
Drepturi de autor © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Tehnologie de leadong.com