11A 650V canal N Super Junction Power MOSFET DHSJ11N65 TO-220C

MOSFET de potência de super junção de canal N 11A 650V

1 Descrição 

Esses vdmosfets aprimorados de canal N usam tecnologia e design avançados de superjunção para fornecer Rds (on) excelentes com baixa carga de portão. O que está de acordo com o padrão RoHS. 

2 recursos 

● Troca rápida 

● Baixa resistência (Rdson≤0,38Ω) 

● Carga de porta baixa (Tipo: 22,6nC) 

● Baixas capacitâncias de transferência reversa (Tipo: 2,5pF) 

● Teste de energia de avalanche de pulso único de 100%

● Teste ΔVDS 100%

3 aplicações 

● Correção do fator de potência (PFC).

● Fontes de alimentação comutadas (SMPS).

● Fonte de alimentação ininterrupta (UPS). 

● Energia da TV e energia da iluminação LED 

● Conversores CA para CC 

● Telecomunicações

VDSS	RDS(ligado)(TYP)	EU IA
650 V	0,33mΩ	11A