kapu
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Itt vagy: Otthon » Termékek » Mosfet » 400V-1500V N MOS » 11a 650V N-csatornás Super Junction Power MOSFET DHSJ11N65 TO-220C

terhelés

Ossza meg:
Facebook megosztási gomb
Twitter megosztási gomb
vonalmegosztó gomb
WeChat megosztási gomb
LinkedIn megosztási gomb
Pinterest megosztási gomb
WhatsApp megosztás gomb
Sharethis megosztási gomb

11a 650V N-csatornás Super Junction Power MOSFET DHSJ11N65 TO-220C

11a 650V N-csatornás Super Junction Power MOSFET
elérhetőség:
Mennyiség:

11a 650V N-csatornás Super Junction Power MOSFET


1 Leírás 

Ezek az N-csatornás továbbfejlesztett VDMOSFET-ek fejlett Super Junction technológiát és dizájnt használnak, hogy kiváló RDS (ON) legyen alacsony kapu töltéssel. Amely megfelel a ROHS szabványnak. 


2 Jellemzők 

● Gyors váltás 

● Alacsony az ellenállás (rdson≤0,38Ω) 

● Alacsony kapu töltés (TIP: 22.6NC) 

● Alacsony fordított transzfer kapacitások (TIP: 2,5PF) 

● 100% egyetlen impulzus lavina energiateszt

● 100% ΔVDS teszt


3 alkalmazás 

● Teljesítménytényező korrekció (PFC).

● Kapcsolt üzemmódú tápegységek (SMP).

● Szünetmentes tápegység (UPS). 

● TV -erő és LED világítási teljesítmény 

● AC -TO DC konverterek 

● Telecom

VDSS Rds (be) (typ) Személyazonosság
650 V -os 0,33mΩ 11a.


Előző: 
Következő: 
  • Iratkozzon fel hírlevelünkre
  • Készüljön fel a jövőre,
    regisztráljon hírlevelünkre, hogy egyenesen frissítéseket kapjon a postaládájába