kapu
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ön itt van: Otthon » Termékek » MOSFET » 400V-1500V N MOS » 11A 650V N-csatornás Super Junction Power MOSFET DHSJ11N65 TO-220C

terhelés

Megosztás:
Facebook megosztás gomb
Twitter megosztás gomb
vonalmegosztás gomb
wechat megosztási gomb
linkedin megosztás gomb
pinterest megosztási gomb
WhatsApp megosztási gomb
oszd meg ezt a megosztási gombot

11A 650V N-csatornás Super Junction Power MOSFET DHSJ11N65 TO-220C

11A 650V N-csatornás Super Junction Power MOSFET
Elérhetőség:
Mennyiség:

11A 650V N-csatornás Super Junction Power MOSFET


1 Leírás 

Ezek az N-csatornás továbbfejlesztett vdmosfetek fejlett szuper junction technológiát és kialakítást használnak, hogy kiváló rádiófrekvenciás rádióadást (bekapcsolva) biztosítsanak alacsony kaputöltés mellett. Ami megfelel a RoHS szabványnak. 


2 Jellemzők 

● Gyors váltás 

● Alacsony ellenállás (Rdson≤0,38Ω) 

● Alacsony kaputöltés (Típus: 22,6 nC) 

● Alacsony fordított átviteli kapacitás (Típus: 2,5 pF) 

● 100%-os egyimpulzusos lavina energiateszt

● 100% ΔVDS teszt


3 Alkalmazások 

● Teljesítménytényező korrekció (PFC).

● Kapcsolt üzemmódú tápegységek (SMPS).

● Szünetmentes tápegység (UPS). 

● TV tápellátás és LED világítás teljesítménye 

● AC-DC átalakítók 

● Telecom

VDSS RDS(be)(TYP) ID
650V 0,33 mΩ 11A


Előző: 
Következő: 
  • Iratkozzon fel hírlevelünkre
  • készüljön fel a jövőre,
    iratkozzon fel hírlevelünkre, hogy közvetlenül a postaládájába kapja a frissítéseket