elérhetőség: | |
---|---|
Mennyiség: | |
DHSJ11N65
WXDH
220c
650 V -os
11a.
11a 650V N-csatornás Super Junction Power MOSFET
1 Leírás
Ezek az N-csatornás továbbfejlesztett VDMOSFET-ek fejlett Super Junction technológiát és dizájnt használnak, hogy kiváló RDS (ON) legyen alacsony kapu töltéssel. Amely megfelel a ROHS szabványnak.
2 Jellemzők
● Gyors váltás
● Alacsony az ellenállás (rdson≤0,38Ω)
● Alacsony kapu töltés (TIP: 22.6NC)
● Alacsony fordított transzfer kapacitások (TIP: 2,5PF)
● 100% egyetlen impulzus lavina energiateszt
● 100% ΔVDS teszt
3 alkalmazás
● Teljesítménytényező korrekció (PFC).
● Kapcsolt üzemmódú tápegységek (SMP).
● Szünetmentes tápegység (UPS).
● TV -erő és LED világítási teljesítmény
● AC -TO DC konverterek
● Telecom
VDSS | Rds (be) (typ) | Személyazonosság |
650 V -os | 0,33mΩ | 11a. |
11a 650V N-csatornás Super Junction Power MOSFET
1 Leírás
Ezek az N-csatornás továbbfejlesztett VDMOSFET-ek fejlett Super Junction technológiát és dizájnt használnak, hogy kiváló RDS (ON) legyen alacsony kapu töltéssel. Amely megfelel a ROHS szabványnak.
2 Jellemzők
● Gyors váltás
● Alacsony az ellenállás (rdson≤0,38Ω)
● Alacsony kapu töltés (TIP: 22.6NC)
● Alacsony fordított transzfer kapacitások (TIP: 2,5PF)
● 100% egyetlen impulzus lavina energiateszt
● 100% ΔVDS teszt
3 alkalmazás
● Teljesítménytényező korrekció (PFC).
● Kapcsolt üzemmódú tápegységek (SMP).
● Szünetmentes tápegység (UPS).
● TV -erő és LED világítási teljesítmény
● AC -TO DC konverterek
● Telecom
VDSS | Rds (be) (typ) | Személyazonosság |
650 V -os | 0,33mΩ | 11a. |