Ketersediaan: | |
---|---|
Kuantiti: | |
DH1K1N10D
WXDH
TO-252B
100V
12a
12A 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
1 Penerangan
MOSFET Kuasa MOSFET MODE N-Saluran ini digunakan dengan reka bentuk teknologi parit lanjutan, dengan syarat RDSON yang sangat baik dan caj pintu rendah. Yang sesuai dengan standard ROHS.
2 ciri
● Rendah terhadap rintangan
● Caj pintu rendah rendah
● Pertukaran cepat
● Kapasit pemindahan terbalik yang rendah
● Ujian tenaga Avalanche Pulse Single 100%
● Ujian 100% Δvds
3 aplikasi
● Aplikasi pensuisan kuasa
● Sistem Pengurusan Inverter
● Alat elektrik
● Elektronik Automotif
VDSS | Rds (on) (typ) | Id |
100V | 112mΩ | 12a |
12A 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
1 Penerangan
MOSFET Kuasa MOSFET MODE N-Saluran ini digunakan dengan reka bentuk teknologi parit lanjutan, dengan syarat RDSON yang sangat baik dan caj pintu rendah. Yang sesuai dengan standard ROHS.
2 ciri
● Rendah terhadap rintangan
● Caj pintu rendah rendah
● Pertukaran cepat
● Kapasit pemindahan terbalik yang rendah
● Ujian tenaga Avalanche Pulse Single 100%
● Ujian 100% Δvds
3 aplikasi
● Aplikasi pensuisan kuasa
● Sistem Pengurusan Inverter
● Alat elektrik
● Elektronik Automotif
VDSS | Rds (on) (typ) | Id |
100V | 112mΩ | 12a |