Λειτουργία βελτίωσης 12A 100V N-Channel Power MOSFET DH1K1N10D TO-252B

12A 100V N-Channel MODENCE MOSFET

1 περιγραφή 

Αυτοί οι λειτουργίες βελτίωσης N-Channel Power MOSFETs χρησιμοποίησαν προηγμένη σχεδιασμό τεχνολογίας τάφρου, παρείχαν εξαιρετική RDSON και χαμηλή φόρτιση πύλης. Η οποία συμφωνεί με το πρότυπο ROHS. 

2 χαρακτηριστικά

● Χαμηλή αντίσταση 

● Χαμηλή φόρτιση πύλης 

● Γρήγορη εναλλαγή 

● Χαμηλές ικανότητες μεταφοράς αντίστροφης μεταφοράς

● Δοκιμή ενεργειακής δοκιμής 100% μονής παλμού Avalanche 

● δοκιμή 100% ΔVDS 

3 αιτήσεις 

● Εφαρμογές μεταγωγής τροφοδοσίας 

● Σύστημα διαχείρισης μετατροπέα 

● ηλεκτρικά εργαλεία 

● Ηλεκτρονικά αυτοκινητοβιομηχανία