未命名 (1) (8) (1)
hek
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
U is hier: Tuiste » Produkte » Mosfet » 12V-300V N MOS » 12A 100V N-kanaalverbeteringsmodus Power MOSFET DH1K1N10D TO-252B

laai

Deel aan:
Facebook -deelknoppie
Twitter -delingknoppie
Lyndeling -knoppie
WeChat Sharing -knoppie
LinkedIn Sharing -knoppie
Pinterest Sharing -knoppie
whatsapp -delingknoppie
Sharethis Sharing -knoppie

12A 100V N-kanaalverbeteringsmodus Power MOSFET DH1K1N10D TO-252B

Hierdie N-kanaalverbeteringsmodus Power MOSFET's het gevorderde ontwerp-tegnologie-ontwerp gebruik, wat uitstekende RDSON en lae heklading gelewer het. Wat ooreenstem met die ROHS -standaard.
Beskikbaarheid:
hoeveelheid:
Navraag doen Voeg by die mandjie

12A 100V N-kanaalverbeteringsmodus MOSFET

1 Beskrywing 


Hierdie N-kanaalverbeteringsmodus Power MOSFET's het gevorderde ontwerp-tegnologie-ontwerp gebruik, wat uitstekende RDSON en lae heklading gelewer het. Wat ooreenstem met die ROHS -standaard. 


2 funksies

● Lae weerstand 

● Lae heklading 

● Vinnige oorskakeling 

● Lae omgekeerde oordragkapasiteit

● 100% enkelpuls Avalanche energietoets 

● 100% Δvds -toets 


3 Aansoeke 

● Toepassings vir kragskakeling 

● Inverterbestuurstelsel 

● Elektriese gereedskap 

● Automotive Electronics

VDS's RDS (ON) (Typ) Id
100V 112mΩ 12a


Vorige: 
Volgende: 
Mosfet
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Teken in vir ons nuusbrief
  • Maak gereed vir die toekomstige
    aanmelding vir ons nuusbrief om opdaterings direk na u inkassie te kry
    Onderwerp
Kopiereg © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by Leadong.com